ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЁНОК НА ОСНОВЕ CIGS С МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЯХ

Иброхимова Машхура; Атажонов Мухиддин

##article.authors##

Иброхимова Машхура ##default.groups.name.author##
Атажонов Мухиддин ##default.groups.name.author##

##semicolon##

Ключевые слова: CIGS, химическое осаждение из паровой фазы (CVD), молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE), межслойные переходы, буферные слои, стабильность, экологическая безопасность

##article.abstract##

Аннотация: В работе рассматриваются тонкие пленки на основе селенида меди, индия и галлия (CIGS) как перспективные материалы для фотоэлектрических технологий. CIGS-пленки обладают высокой эффективностью преобразования солнечной энергии и позволяют создавать гибкие, легкие модули, которые могут использоваться на различных поверхностях. В аннотации анализируются основные методы осаждения и выращивания CIGS-пленок, такие как химическое осаждение из паровой фазы и молекулярно-лучевая эпитаксия, а также их влияние на кристаллическую структуру и фотоэлектрические характеристики материала. Особое внимание уделяется методам повышения эффективности и стабильности CIGS-пленок, в том числе улучшению межслойных переходов и добавлению буферных слоев.