ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕМПЕРАТУРЫ РАЗЛИЧНЫХ СРЕД
Keywords:
кремный, температура, полупроводник, интегральная схема, преобразователь, p-n переход, статическая характеристика.Abstract
Изучение основных характеристик кремниевых преобразователей температуры показывают, что в диапазоне от -50 o C до
+120 o C можно получит довольно достоверные результаты, но с увеличением температуры измеряемой среды возрастает нелинейность статической характеристики, следовательно, снижается достоверность и точность измерительной информации. Для компенсации температурной погрешности при смещении постоянным током падение напряжения зависит от температуры. Когда диод выполнен как часть интегральной схемы, он создается путем замыкания базы и эмиттера p-n-p транзистора. При этом напряжение зависит не только от температуры, но также от силы тока и свойств устройства. Чтобы
исключить влияние этих переменных, практические схемы переключают диод поочередно на два источника постоянного тока и определяют температуру на основе разницы между двумя прямыми напряжениями.
References
1. Голуб В. С. Микросхемные датчики температуры. Датчики и системы. 2007. -
№12. - С. 29-34.
2. Громов B.C., Кривоносов А.И., Утямышев Р.И. Устройство для измерения
температуры. Авторское свидетельство №361398, № 1, 1973.
3.
Громов B.C., Шестимеров С.М., Увайсов С.У. Современные
полупроводниковые интегральные датчики температуры. «Датчики и системы»,
№12, 2010. С.59-68.
4. Гуртов В.А. Твердотельная электроника. Учебное пособие. Петрозаводск,
2004. 150 с.
5. Датчики. Перспективные направления развития. Алейников А.Ф., Гридчин
В.А., Цапенко М.П. Изд-во НГТУ,2001.
6. Евдокимов И.Н. Методы и средства исследований. Температура. РГУНГ им.
И.М. Губкина, Кафедра физики, М.: 2004. 106 с.
7. Зимин Г.Ф. Поверка и калибровка термоэлектрических преобразователей.
Учебное пособие. М.: АСМС, 2002.-48 с.
8.
Кривоносов
А.И.,
Кауфман В.Я. Статические характеристики
поликристаллических терморезисторов. М.: Энергия, 2006.-120 с.
9. Современные датчики. Справочник. Дж. Фрайден. Перевод с анг.Ю. А.
Заболотной под ред. Е. Л. Свинцова. М.: «Техносфера», 2005.-586 с.
10. Устройство для измерения температуры. Патент РФ, №100827 от 27.12.2010
г. Шестимеров С. М., Громов B.C., Увайсов С. У.
11. Шестимеров С.М. Высокоточный транзисторный датчик температуры.
Датчики и системы - М.: 2010.- № 11, С.19 – 22.
12.
Шестимеров С.М. Особенности полупроводниковых резистивных
термодатчиков. Материалы международной научно-практической конференции
«Инфо-2010», 1-10 октября 2010, С. 366 - 368.
13. Шестимеров С.М. Первичные преобразователи температуры на основе
диодных структур. «Инфо-2010», 1-10 октября 2010, С. 366 - 368.
14. Шестимеров С.М. Полупроводниковые интегральные датчики температуры.
«Надёжность и качество 2010» - Пенза, ПГУ, 2010.-С.161-164.
15. Шестимеров С.М. Современные полупроводниковые интегральные датчики
температуры. Измерения. Контроль. Автоматизация. - М.: 2010. № 12. С. 59 - 68
