YADROVIY NURLANISHLARNI QAYD QILUVCHI 8 TA TASMALI DETEKTORNING JUFT TASMALARI VOLT-AMPER XARAKTERISTIKALARINI MODELLASHTIRISH
##semicolon##
kompyuterli matematik model, yarim o'tkazgichli detektor, tok, kuchlanish, tasmalar, eksperimental.##article.abstract##
Ushbu maqolada zamonaviy elektron texnologiyalar sohasida katta ahamiyatga ega bo‘lgan yarim o'tkazgichli yadroviy nurlanish detektorlarini xarakteristikalari matematik va kompyuter modellashtirish yordamida tahlil qilingan. Matematik modeldan foydalanib, katta o'lchamdagi sakkiz tasmali yarim o'tkazgichli koordinataga sezgir yadroviy nurlanish detektorlarining volt-amper xususiyatlari taqqoslangan. Tanlangan ketma-ketlikdagi tasmalarning volt-amper xususiyatlari taqqoslandi, bunda bu jarayon MATLAB dastur paketi yordamida amalga oshirildi. Matematik modellashtirishda eng kichik kvadratlar usuli qo‘llanildi. Olingan natijalar
taklif etilgan ekvivalent elektr sxemasi Si(Li) p-i-n tuzilmalarining tok va kuchlanish qiymatlarini yuqori aniqlik bilan tasvirlash imkonini berishini ko‘rsatdi.
##submission.citations##
1.
Muminov R.A., Saymbetov A.K., Toshmurodov Yo.K., Ergashev G.J.,
Yavkochdiyev
M.Ya.
Analysis of the electrophysical dimensions of semiconductor detector with the help of
a
computerno-mathematical model //International Journal of Advanced Research in
Science,
Engineering and Technology. 2020. Vol. 7, Issue 9, рр. 14956-14959.
2.
Зубченко К.А. Приборно-технологическое моделирование как метод
исследования полупроводникових структур // Молодой учёний Международний
научний
журнал.
2017.№28(162).с.39-40.3.
Прохорес И.М. Математические модели для анализа статических
характеристик многоэлементних полупроводникових детекторов// Журнал
«Радиоэлектроника. Информатика. Управления». 2008.№1(19),с.27-32.
4.
Тошмуродов Ё.К., Г.Ж. Эргашев, Сайфуллоев Ш.А. Компьютерно
математическое
моделирование
полупроводникових
электрофизических
координатно-чувствителних
характеристик
детекторов
ядерного
излучения // IISN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер.
Приборостроений.2018.№1.с.16-20.
5. Muminov R.A., Ergashev G.J., Saymbetov A.K., Toshmurodov Yo.K.,
Radzhapov
S.A.,
Mansurova A.A., Japashov N.M., Svanbayev Y.A. Application of Additional Leveling
Drift
Process to Improve the Electrophysical Parameters of Large Sized Si (Li) p-i-n
Structures
//
Journal of Nano- and Electronic Physics. 2020. Vol. 12 No 1, pp 01006-1-01006-5.
